Amintiri flash

Recenzii ale cititorilor

În prezent, nu există recenzii ale cititorilor. Evaluarea se bazează pe 2 voturi.

Titlul original:

Flash Memories

Conținutul cărții:

O memorie Flash este o memorie nevolatilă (NVM) ale cărei celule unitare sunt fabricate în tehnologia CMOS și programate și șterse electric. În 1971, Frohman-Bentchkowsky au dezvoltat un tranzistor cu poarta de polisiliciu pliabilă 1, 2, în care electronii fierbinți erau injectați în poarta flotantă și eliminați fie prin fotoemisie internă în ultraviolete (UV), fie prin tunelare Fowler-Nordheim.

Aceasta este celula unitară a EPROM (Electrically Pro- grammable Read Only Memory), care, constând dintr-un singur tranzistor, poate fi integrată foarte dens. Memoriile EPROM sunt programate electric și șterse prin expunere la UV timp de 20-30 de minute. La sfârșitul anilor 1970, s-au depus numeroase eforturi pentru a dezvolta o EPROM care să poată fi ștearsă electric, ceea ce a dus la apariția EEPROM-urilor (Electrically Erasable Programmable ROMs).

EEPROM-urile utilizează tunelizarea electronilor fierbinți pentru programare și tunelizarea Fowler-Nordheim pentru ștergere. Celula EEPROM este formată din doi tranzistori și un oxid de tunel, fiind astfel de două sau trei ori mai mare decât o EPROM.

Ulterior, s-a redescoperit combinația dintre programarea cu purtători fierbinți și ștergerea prin tunel pentru a obține o EEPROM cu un singur tranzistor, numită Flash EEPROM. Prima celulă bazată pe acest concept a fost prezentată în 1979 3, iar primul produs comercial, un cip de memorie de 256 K, a fost prezentat de Toshiba în 1984 4.

Piața nu a luat avânt până când această tehnologie nu s-a dovedit a fi fiabilă și fabricabilă 5.