Qualitative Analysis of Hydrodynamical Models of Charge Transport in Semiconductors
În ultimele decenii, simularea matematică a fenomenelor fizice din dispozitivele semiconductoare a devenit un domeniu actual și în dezvoltare rapidă al matematicii aplicate.
Progresele în domeniul tehnologiilor microelectronice permit construirea unor dispozitive semiconductoare de dimensiuni extrem de mici, astfel încât modelele analitice simplificate pot fi cu greu utilizate pentru analiza și proiectarea dispozitivelor semiconductoare moderne. Motivul este că ipotezele simplificatoare tradiționale care formează fundalul acestor modele pot fi în esență încălcate în componentele moderne ale schemelor integrale.
Această carte discută dinamica acestui proces.
© Book1 Group - toate drepturile rezervate.
Conținutul acestui site nu poate fi copiat sau utilizat, nici parțial, nici integral, fără permisiunea scrisă a proprietarului.
Ultima modificare: 2024.11.08 07:02 (GMT)