Caracterizarea dispozitivelor semiconductoare de putere cu bandgap larg

Recenzii ale cititorilor

În prezent, nu există recenzii ale cititorilor. Evaluarea se bazează pe 2 voturi.

Titlul original:

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

Conținutul cărții:

La baza convertoarelor electronice de putere moderne se află dispozitivele de comutare cu semiconductori de putere. Apariția dispozitivelor semiconductoare WBG (wide bandgap), inclusiv carbura de siliciu și nitrură de galiu, promite convertizoare electronice de putere cu randament mai ridicat, dimensiuni mai mici, greutate mai redusă și costuri mai mici decât convertizoarele care utilizează dispozitive pe bază de siliciu. Cu toate acestea, dispozitivele WBG reprezintă noi provocări pentru proiectarea convertoarelor și necesită o caracterizare mai atentă, în special din cauza vitezei lor rapide de comutare și a nevoii mai stricte de protecție.

Cartea Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices prezintă metode complete cu exemple pentru caracterizarea acestei clase importante de dispozitive de putere. După o introducere, cartea acoperă caracterizarea statică pulsată; caracterizarea capacității de joncțiune; fundamentele caracterizării dinamice; conducerea porții pentru caracterizarea dinamică; proiectarea layout-ului și gestionarea paraziților; proiectarea protecției pentru testul cu puls dublu; măsurarea și procesarea datelor pentru caracterizarea dinamică; luarea în considerare a interferenței; impactul sistemului trifazat; și considerații privind topologia.

Această carte se adresează cercetătorilor și inginerilor implicați în dezvoltarea produselor și tehnologiilor electronice de putere bazate pe WBG. De asemenea, este destinată studenților absolvenți și inginerilor practicieni implicați în dezvoltarea dispozitivelor WBG, ambalarea electronicii de putere, dezvoltarea tehnologiei pentru măsurători electrice și instrumentație.