Dispozitive semiconductoare avansate de putere ultrajoasă: Proiectare și aplicații

Titlul original:

Advanced Ultra Low-Power Semiconductor Devices: Design and Applications

Conținutul cărții:

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE AVANSATE DE PUTERE ULTRAREDUSĂ

Scris și editat de o echipă de experți în domeniu, acest nou volum important acoperă pe larg proiectarea și aplicațiile tranzistoarelor cu efect de câmp ale semiconductorilor cu oxid metalic.

Acest nou volum remarcabil oferă o prezentare cuprinzătoare a componentelor semiconductoare de ultimă generație, adaptate pentru aplicații de putere ultra-redusă. Aceste componente, esențiale pentru fundamentul dispozitivelor electronice, joacă un rol central în modelarea peisajului electronicii. Cu accent pe dispozitivele electronice emergente cu consum redus de energie și pe aplicarea lor în domenii precum comunicațiile fără fir, biosenzorii și circuitele, această carte reprezintă o resursă neprețuită pentru înțelegerea acestui domeniu dinamic.

Reunind experți și cercetători din diferite fațete ale domeniului VLSI, cartea abordează provocările reprezentate de dispozitivele avansate cu putere redusă. Acest efort de colaborare își propune să propulseze inovațiile inginerești și să rafineze implementarea practică a acestor tehnologii. Capitolele specifice aprofundează subiecte complexe, cum ar fi FET tunel, circuite de dispozitive FET cu capacitate negativă și FET-uri avansate adaptate pentru diverse aplicații de circuit.

Dincolo de discuțiile centrate pe dispozitive, cartea abordează complexitatea proiectării sistemelor de memorie cu consum redus de energie, domeniul fascinant al calculului neuromorfic și problema esențială a fiabilității termice. Autorii oferă o bază solidă în fizica dispozitivelor și a circuitelor, explorând în același timp materiale și arhitecturi noi, cum ar fi tranzistorii construiți pe materiale canal/dielectrice de pionierat. Această explorare este determinată de necesitatea de a obține atât un consum minim de energie, cât și viteze de comutare ultra-rapide, îndeplinind astfel cerințele neîncetate ale industriei semiconductorilor. Domeniul de aplicare al cărții cuprinde concepte precum MOSFET, FinFET, GAA MOSFET, nodurile tehnologice de 5 nm și 7 nm, NCFET, materiale feroelectrice, oscilații sub prag, materiale high-k, precum și materiale avansate și emergente esențiale pentru viitorul industriei semiconductorilor.