Nanostructuri de siliciu-germaniu (Sige): Producție, proprietăți și aplicații în electronică

Titlul original:

Silicon-Germanium (Sige) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics

Conținutul cărții:

Nanostructurile de siliciu-germaniu (SiGe) deschid perspectivele unor performanțe noi și îmbunătățite ale dispozitivelor electronice, în special pentru dispozitivele semiconductoare. Nanostructurile de siliciu-germaniu (SiGe) analizează știința materialelor nanostructurilor, proprietățile și aplicațiile acestora în diferite dispozitive electronice.

Prima parte introductivă acoperă proprietățile structurale ale nanostructurilor SiGe, cu un capitol suplimentar care discută structurile benzilor electronice ale aliajelor SiGe. Partea a doua se concentrează pe formarea nanostructurilor SiGe, cu capitole privind diferite metode de creștere a cristalelor, cum ar fi epitaxia cu fascicul molecular și depunerea chimică în stare de vapori. Această parte include, de asemenea, capitole referitoare la ingineria și modelarea deformării. Partea a treia acoperă proprietățile materiale ale nanostructurilor SiGe, incluzând capitole pe teme precum defectele induse de deformare, proprietățile de transport și microcavitățile și structurile laser cu cascadă cuantică. În partea a patra, sunt discutate dispozitivele care utilizează aliaje SiGe. Capitolele abordează aplicații integrate la scară foarte mare, MOSFET-uri și utilizarea SiGe în diferite tipuri de tranzistori și dispozitive optice.

Cu editorii săi distinși și echipa de colaboratori internaționali, Nanostructurile de siliciu-germaniu (SiGe) reprezintă o referință standard pentru cercetătorii care se concentrează asupra dispozitivelor și materialelor semiconductoare din industrie și mediul academic, în special pentru cei interesați de nanostructuri.

⬤ Revede știința materialelor nanostructurilor și proprietățile și aplicațiile acestora în diferite dispozitive electronice.

⬤ Evaluează proprietățile structurale ale nanostructurilor SiGe, discutând structurile benzilor electronice ale aliajelor SiGe.

⬤ Exploră formarea nanostructurilor SiGe prin diferite metode de creștere a cristalelor, cum ar fi epitaxia cu fascicul molecular și depunerea chimică în stare de vapori.