Noi paradigme ale memoriei: Fenomene memristive și aplicații neuromorfice: Discuția Faraday 213

Titlul original:

New Memory Paradigms: Memristive Phenomena and Neuromorphic Applications: Faraday Discussion 213

Conținutul cărții:

Dispozitive „inteligente” la scară atomică, inteligență artificială, funcții neuromorfice, operații logice și de calcul alternative, noi paradigme de stocare a memoriei, nanoelectronică ultrafastă/bioinspirată/flexibilă/transparentă/eficientă din punct de vedere energetic - aceste concepte contemporane sunt forțe motrice pentru dezvoltarea progresivă a științei și tehnologiei, reflectând așteptările societății și rezolvând problemele acesteia. Inspirate de conceptul de memristor (memorie ), memoriile cu acces aleatoriu (ReRAM) și memoriile cu schimbare de fază (PCM) cu comutare rezistivă bazate pe Redox sunt considerate capabile de toate aceste operațiuni și funcționalități. În plus, cercetătorii urmăresc să utilizeze aceste sisteme memristive pentru a activa proprietățile fundamentale ale vieții, inclusiv ordinea, plasticitatea, răspunsul la stimuli, metabolismul, homeostazia, creșterea și ereditatea sau reproducerea, pe baza funcționalităților sistemelor biologice.

Acest volum, care reunește experți din industrie și din mediul academic, va acoperi elementele fundamentale, precum și cerințele și limitările specifice, de exemplu în ceea ce privește selectarea materialelor, prelucrarea, sistemele model adecvate, cerințele tehnice și potențialele aplicații ale dispozitivelor, oferind o punte de legătură pentru terminologii, teorii, modele și aplicații.

Subiectele abordate în acest volum includ:

ReRAM cu metalizare electrochimică (ECM)

ReRAM cu schimbare de valență (VCM)

Memorii cu schimbare de fază (PCM)

Funcții sinaptice și neuromorfice.