Simulare TCAD 3D pentru dispozitive nanoelectronice CMOS

Recenzii ale cititorilor

În prezent, nu există recenzii ale cititorilor. Evaluarea se bazează pe 2 voturi.

Titlul original:

3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

Conținutul cărții:

Prezentarea interfeței de operare a mediului software și a instrumentelor Synopsys Sentaurus TCAD versiunea 2014.

- Analiza prin simulare a MOSFET 2D. - Analiza de simulare a FinFET 3D cu LG = 15 nm.

- Analiza de simulare a invertorului și a SRAM din 3D FinFET cu LG = 15 nm. - Analiza de simulare a GAA NWFET. - Analiza de simulare a FET fără joncțiune cu LG = 10 nm.

- Analiza de simulare a FET cu tunel. - Analiza de simulare a FinFET 3D din Si și Ge cu LG = 3 nm.