Dispozitivul IGBT: Fizică, proiectare și aplicații ale tranzistorului bipolar cu poartă izolată

Recenzii ale cititorilor

În prezent, nu există recenzii ale cititorilor. Evaluarea se bazează pe 2 voturi.

Titlul original:

The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor

Conținutul cărții:

Dispozitivul IGBT: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor, ediția a doua oferă informațiile esențiale de care au nevoie inginerii de aplicații pentru a proiecta noi produse care utilizează acest dispozitiv în sectoare precum cel de consum, industrial, iluminat, transport, medical și energie regenerabilă.

Dispozitivul IGBT s-a dovedit a fi un semiconductor de putere extrem de important, constituind baza pentru acționările motoarelor cu viteză reglabilă (utilizate în sistemele de aer condiționat și de refrigerare și în locomotivele de cale ferată), pentru sistemele de aprindere electronică pentru autovehiculele pe benzină și pentru becurile fluorescente compacte cu economie de energie. Cartea prezintă aplicații recente în afișajele cu plasmă (televizoare cu ecran plat) și în sistemele de transmisie a energiei electrice, în sistemele de energie alternativă și în stocarea energiei, dar este, de asemenea, utilizat în toate sistemele de generare a energiei regenerabile, inclusiv energia solară și eoliană.

Această carte este prima carte disponibilă privind aplicațiile IGBT-ului. Ea va debloca IGBT pentru o nouă generație de aplicații inginerești, ceea ce o va face o lectură esențială pentru un public larg de ingineri electrici și ingineri proiectanți, precum și o publicație importantă pentru specialiștii în semiconductori.