Fundamentele dispozitivelor semiconductoare de putere

Elemente de bază ale dispozitivelor semiconductoare de putere (Jayant Baliga B.)

Recenzii ale cititorilor

Rezumat:

Cartea privind dispozitivele semiconductoare de putere, axată în special pe IGBT-uri, este foarte apreciată pentru profunzimea cunoștințelor și aplicațiile sale practice. Este considerat un text de referință valoros pentru profesioniștii și studenții din domeniu, deși nu fără provocări pentru începători și în anumite formate.

Avantaje:

⬤ Acoperire excelentă a IGBT-urilor și a dispozitivelor semiconductoare de putere.
⬤ Conține introduceri repetate ale conceptelor cheie, care ajută la înțelegerea între subiecte.
⬤ Ilustrațiile și graficele practice sunt benefice pentru profesioniști.
⬤ Comprehensivă și actualizată în comparație cu edițiile anterioare.
⬤ Include întrebări utile la sfârșit de capitol în scopuri didactice.

Dezavantaje:

⬤ Textul greu din cauza conceptelor repetitive poate fi greoi de citit.
⬤ Nu este ideal pentru începători sau ca manual de sine stătător pentru a învăța elementele de bază ale fizicii semiconductorilor.
⬤ Imaginile și formulele neclare din versiunea Kindle pot împiedica înțelegerea.
⬤ Unii utilizatori îl consideră dificil pentru învățarea de la zero fără îndrumare.

(pe baza a 13 recenzii ale cititorilor)

Titlul original:

Fundamentals of Power Semiconductor Devices

Conținutul cărții:

Fundamentals of Power Semiconductor Devices oferă un tratament aprofundat al fizicii funcționării dispozitivelor semiconductoare de putere care sunt utilizate în mod obișnuit în industria electronică de putere.

Sunt prezentate modele analitice pentru explicarea funcționării tuturor dispozitivelor semiconductoare de putere. Tratamentul se concentrează asupra dispozitivelor din siliciu și include atributele unice și cerințele de proiectare pentru dispozitivele emergente din carbură de siliciu.